IGBT SKM40GD123

Описание IGBT модуля SKM40GD123

SKM40GD123 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для применения в импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других силовых электронных системах. Модуль содержит в себе два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные по схеме полумоста (Half-Bridge).

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и надежность.
• Низкие потери проводимости и коммутации.
• Усиленная изоляция между элементами.
• Оптимизированная конструкция для эффективного охлаждения.

Технические характеристики

Основные параметры:

| Характеристика | Значение |
|-------------------------------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 40 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 80 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ≤ 2.1 В |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |

Встроенные диоды:

| Характеристика | Значение |
|-------------------------------|----------|
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Прямой ток (I_F) | 40 А |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера (Semikron и аналоги):

• SKM40GB123D (аналог с улучшенными параметрами)
• SKM40GD124 (модификация с другим креплением)
• SKM50GB123D (более мощный вариант, 50 А)

Совместимые/аналогичные модули других производителей:

• Infineon: FF40R12KE3
• Mitsubishi: CM40DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI40N-120
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Типовые применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!