IGBT SMD8

Описание IGBT SMD8

IGBT SMD8 – это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) в компактном корпусе, предназначенный для применения в импульсных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации)
• Ток коллектора (I_C): до 30 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 60 А
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Мощность рассеяния (P_tot): до 150 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.1–0.3 Ом
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 50–100 нс
• Корпус: TO-263 (D²PAK), SMD

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номеры:

• SMD8N60 (600 В, 8 А)
• SMD8T60 (600 В, 12 А)
• SMD8N120 (1200 В, 8 А)
• SMD8T120 (1200 В, 12 А)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N60T, IKW40N60T
• STMicroelectronics: STGP30NC60WD, STGW30NC60WD
• Fairchild/ON Semiconductor: FGH30N60SMD, FGA30N60SMD
• IXYS: IXGN30N60B3, IXGN40N60B3
• Toshiba: GT30J61, GT40J61

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Если вам нужны более точные данные для конкретной модели, уточните параметры (напряжение, ток, производителя).