IGBT T13

Описание IGBT T13

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) T13 – это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Этот транзистор сочетает в себе преимущества MOSFET (высокую скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики IGBT T13

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Максимальная рабочая частота | до 30 кГц |
| Корпус | TO-247, TO-3P |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT T13 может иметь аналоги от разных производителей:

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PC50U (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH20N120B3 (IXYS)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IRG4PH50U (более мощный аналог)
• FGH40N60SFD (с повышенным током)
• GT20Q101 (Toshiba)

Применение

IGBT T13 используется в:

• Промышленных инверторах
• Сварочных аппаратах
• Частотных преобразователях
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Электромобильных системах

Если вам нужен точный даташит или дополнительная информация по конкретному производителю, уточните маркировку транзистора.