IGBT T408F12TSC

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT T408F12TSC
Описание IGBT T408F12TSC
T408F12TSC — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением и током, предназначенный для использования в мощных преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для силовой электроники.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|---------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 400 А | | Ток коллектора (IC) при 80°C | 300 А | | Импульсный ток (ICM) | 800 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1,7 В | | Время включения (ton) | ~40 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,07 К/Вт | | Корпус | модуль (например, 62 мм) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: FF400R12KE3, FF400R12KT3
- Mitsubishi: CM400DY-12T (CM400DY-12S)
- Semikron: SKM400GB12T4
- Fuji Electric: 2MBI400V-120-50
Другие варианты с похожими характеристиками:
- IXYS / Littelfuse: IXGH48N60B3
- Hitachi: HA400TB12U
Применение
- Промышленные инверторы
- Частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Тяговые преобразователи
- Установки возобновляемой энергетики
Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики потерь или спецификации драйверов), уточните запрос.