IGBT TDB6HK165N16L0F

Описание IGBT TDB6HK165N16L0F

TDB6HK165N16L0F — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых приложений, таких как инверторы, промышленные приводы, сварочное оборудование и системы электропитания.

Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также надежную конструкцию, подходящую для жестких рабочих условий.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Dual) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Ток коллектора (I_C при 25°C) | 600 A (макс.) | | Ток коллектора (I_C при 80°C) | 400 A (ном.) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 1200 A | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 2000 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.2 В (тип.) | | Время выключения (t_off) | 300 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.03 K/Вт | | Диапазон температур | -40°C … +150°C | | Корпус | модуль (62 мм × 108 мм) | | Тип крепления | винтовое |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера (Infineon и аналоги)

• FZ600R16KE3 (Infineon, близкий аналог по параметрам)
• CM600DY-16A (Mitsubishi, схожие характеристики)
• MG600Q1US41 (Toshiba, альтернатива в схожих корпусах)

Совместимые модели в линейке Infineon

• TDB6HK155N16L0F (1500 В, 600 А)
• TDB6HK170N16L0F (1700 В, 600 А)
• TDB6HK165N12L0F (1200 В, 600 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Тяговые системы (электропоезда, электромобили)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также конструктивное исполнение модуля.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!