IGBT TM55CZ-H

Описание IGBT TM55CZ-H

IGBT TM55CZ-H — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT-транзистор с диодом обратной проводимости (FWD) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или 1200 В, уточняйте для конкретной модификации) | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 55 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 110 А | | Макс. мощность рассеяния (P_tot) | ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50–100 нс | | Время выключения (t_off) | ~150–300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или другой, уточняйте в даташите) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя и характеристик. Некоторые возможные аналоги:

Парт-номера:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH48N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• TM50CZ-H (младшая версия, 50 А)
• TM60CZ-H (старшая версия, 60 А)
• GT50JR22 (Mitsubishi)
• CM75E3U-24H (Powerex)

Примечание

Рекомендуется проверять даташит производителя (Toshiba, Infineon, Mitsubishi и др.), так как параметры могут отличаться в зависимости от модификации. Для точной замены учитывайте:

• Напряжение и ток.
• Скорость переключения.
• Тип корпуса и схему подключения.

Если у вас есть дополнительная информация (например, производитель или конкретное применение), уточню детали!