IGBT TM55DZ24

Описание IGBT TM55DZ24

TM55DZ24 – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в мощных электронных устройствах. Используется в:

• Промышленных инверторах и частотных преобразователях
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Тяговых системах (электромобили, ЖД транспорт)

Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 55 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 110 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 55 А) |
| Время переключения (t_on/t_off) | 60 нс / 200 нс |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (обычно TO-247 или аналогичный) |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF55R12RT4, FF55R12KT3
• Mitsubishi: CM55DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI55N-120
• Semikron: SKM55GB12T4

Прямые замены (с проверкой распиновки!):

• TM55DZ24N (модификация с улучшенными характеристиками)
• TM55DZ24G (версия с низкими потерями)

Совместимые модули в схемах:

• TM50DZ24 (50 А, 1200 В) – при сниженной нагрузке
• TM75DZ24 (75 А, 1200 В) – для больших токов

Примечания:

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите.
2. Для охлаждения обязателен радиатор (тепловое сопротивление <0.5°C/Вт).
3. Рекомендуется использовать термопасту и изолирующие прокладки.

Если вам нужен даташит или уточнение параметров, укажите производителя модуля (например, Toshiba, Infineon и т.д.), так как TM55DZ24 может быть кодом OEM-поставщика.