IGBT TO-220

Описание IGBT TO-220

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-220 — это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Корпус TO-220 обеспечивает удобный монтаж на радиатор для эффективного отвода тепла.

Технические характеристики

(Типовые параметры, могут отличаться в зависимости от модели)

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели) | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 10–40 А (пиковый до 50–100 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 50–100 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,5–2,5 В (зависит от тока) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 20–100 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-220 (3 вывода) |

Популярные парт-номера IGBT TO-220

1. Infineon

   • IRG4BC20U (600V, 12A)
   • IRG4BC30U (600V, 23A)
   • IRG4PC50U (600V, 55A)
   • IRGP4063DPBF (600V, 24A)

2. STMicroelectronics

   • STGP10NC60KD (600V, 10A)
   • STGP20NC60KD (600V, 20A)

3. Fairchild/ON Semiconductor

   • FGA25N120ANTD (1200V, 25A)
   • HGTG20N60B3 (600V, 20A)

4. Toshiba

   • GT20Q101 (1000V, 20A)
   • GT8Q101 (1000V, 8A)

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT в корпусе TO-220 взаимозаменяемы при схожих параметрах.
Примеры замен:

• IRG4BC20U → STGP10NC60KD (с учетом меньшего тока)
• IRG4BC30U → STGP20NC60KD
• FGA25N120ANTD → GT20Q101 (оба 1200V, 25A)

⚠ Важно: При замене проверяйте:

• Напряжение V_CES
• Ток I_C
• Скорость переключения
• Распиновку (Gate, Collector, Emitter)

Применение

• Преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Сварочные инверторы

Для точного выбора рекомендуется изучать даташит конкретной модели.