IGBT TO-220AB

Описание IGBT TO-220AB

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-220AB – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий высокое входное сопротивление MOSFET и низкие потери проводимости биполярного транзистора. Корпус TO-220AB обеспечивает эффективный теплоотвод через металлическую площадку и совместимость с радиаторами.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Корпус | TO-220AB |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600В, 650В, 1200В (зависит от модели) |
| Ток коллектора (I_C) | 5А – 40А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 – 100 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20В (макс.) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,5 – 2,5В |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 30 – 100 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |

Популярные парт-номера IGBT в корпусе TO-220AB

1. STMicroelectronics:
   • STGP10NC60KD
   • STGP7NC60HD
   • STGB10NB37LZ
2. Infineon:
   • IGP15N60T
   • IGP20N60T
3. Fairchild/ON Semiconductor:
   • FGA20N60
   • FGP20N60
4. Toshiba:
   • GT20Q101
   • GT30Q321

Совместимые модели (аналоги)

• IRG4BC20UD (International Rectifier)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH20N60B (IXYS)
• FGH40N60 (Fairchild)

Применение

• Инверторы и драйверы двигателей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Системы управления электроприводами

Если нужны параметры конкретной модели, уточните – предоставлю детальные данные.