IGBT TO-252

Описание IGBT TO-252 (D-PAK)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-252 (D-PAK) – это компактный силовой транзистор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-252 обеспечивает хороший теплоотвод через контактную площадку и подходит для поверхностного монтажа (SMD).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления энергопотреблением

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600В, 650В, 1200В (зависит от модели) |
| Ток коллектора (I_C) | 5А – 50А (макс.) |
| Ток импульсный (I_CM) | До 100А (кратковременно) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20В (макс.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 50–150Вт (с радиатором) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.1–0.5 Ом (зависит от тока) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 20–100 нс |

Популярные парт-номера IGBT TO-252

1. Infineon:
   • IGP10N60T (600V, 10A)
   • IGP20N60T (600V, 20A)
   • IGP15N65H5 (650V, 15A)
2. STMicroelectronics:
   • STGP10NC60KD (600V, 10A)
   • STGP20NC60KD (600V, 20A)
3. Fairchild/ON Semiconductor:
   • FGP20N60 (600V, 20A)
   • FGP10N60UFD (600V, 10A)
4. IR (Infineon):
   • IRG4BC30KD (600V, 23A)
   • IRG4BC20KD (600V, 14A)

Совместимые модели (аналоги)

• IRGB4062DPBF (Infineon, 600V, 24A)
• STGD6NC60HD (STMicro, 600V, 6A)
• H20R1202 (Fairchild, 1200V, 20A)
• IKW40N65H5 (Infineon, 650V, 40A, TO-247, но может быть аналогом для мощных версий)

Для замены необходимо проверять:

• Напряжение V_CES
• Ток I_C
• Параметры затвора (V_GE, Q_g)
• Корпусный вариант (TO-252 или D-PAK)

Если нужна помощь с конкретным аналогом – уточните модель!