IGBT UM100CDY-10

Описание IGBT UM100CDY-10

IGBT UM100CDY-10 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих высокой переключаемой мощности.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (до 1000 В).
• Большой ток коллектора (до 100 А).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии.
• Быстрое переключение и низкие динамические потери.
• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратных токов.
• Корпус TO-247 (или аналогичный), обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | до 300 Вт (с радиатором) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому перед заменой рекомендуется проверять datasheet.

Прямые замены (аналогичные параметры):

• IXGH100N10 (IXYS)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• FGA100N10 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW100NC10WD (STMicroelectronics)

Близкие по характеристикам (возможна замена с проверкой схемы):

• HGTG100N10 (Microsemi)
• APT100GN10 (Microchip)
• MG100Q1US41 (Toshiba)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные блоки питания
• Устройства плавного пуска

Если вам нужен точный datasheet или дополнительные аналоги, уточните производителя оригинального модуля.