Sick 2N5116

Описание и технические характеристики транзистора 2N5116

Тип: NPN-биполярный транзистор
Назначение: Усилительные и переключающие схемы
Корпус: TO-39 (металлический)

Основные параметры (при T = 25°C):

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 40 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (V_CBO): 60 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (V_EBO): 5 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 600 мА
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 1 Вт
• Коэффициент усиления по току (h_FE): 40–120 (тип. 80)
• Частотная характеристика (f_T): 50 МГц
• Время включения/выключения (t_r/t_f): ~50 нс

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• 2N5115 (PNP-версия)
• 2N5117 (схожие параметры, другой корпус)
• 2N2222A (аналог с лучшими частотными характеристиками)
• BC337 (аналог в корпусе TO-92)
• 2N4401 (близкий по параметрам)

Международные аналоги:

• BC547B (менее мощный, но совместимый в некоторых схемах)
• 2SC945 (японский аналог)
• KT315 (советский аналог)

Производители:

• Motorola (оригинальный производитель)
• ON Semiconductor
• Texas Instruments

Применение:

• Усилители НЧ и ВЧ
• Переключающие схемы
• Генераторы сигналов
• Драйверы реле и маломощных нагрузок

Если нужны более точные данные по конкретному производителю, уточните datasheet.