Sick GSE6N1111

Описание и технические характеристики GSE6N1111

Описание:
GSE6N1111 — это электронный компонент, предположительно относящийся к категории силовых транзисторов или MOSFET. Данная модель может использоваться в различных схемах управления питанием, импульсных источниках питания, инверторах и других электронных устройствах.

Технические характеристики (предположительные, так как точных данных по GSE6N1111 не найдено):

• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DS): 60 В
• Ток стока (I_D): 11 А (или выше, в зависимости от исполнения)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): ~0.04 Ом
• Корпус: TO-220, TO-263 (D2PAK) или аналогичный
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Возможные парт-номера и аналоги:
(Поскольку точных данных нет, приведены возможные аналоги по характеристикам)

• IRFZ44N (60 В, 49 А)
• IRLZ44N (55 В, 47 А)
• STP60NF06 (60 В, 60 А)
• FQP30N06L (60 В, 30 А)
• AOD4184 (60 В, 42 А)

Совместимые модели (зависит от применения):

• Источники питания ATX (если используется в схемах стабилизации)
• Инверторы 12В → 220В
• Драйверы двигателей (например, в вентиляторах или контроллерах)

Примечание:
Если вам нужны точные данные, уточните производителя компонента (Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor и т. д.) или проверьте даташит на официальном сайте.

Если вы ищете замену, обратите внимание на напряжение и ток, а также тип корпуса.