H3DE-G

Описание и технические характеристики H3DE-G

H3DE-G – это высоковольтный силовой транзистор (IGBT) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных системах.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT-транзистор с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Мощность рассеяния (P_C) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |

Эквиваленты и замены:

• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H, CM75DY-24H (аналоги с другим напряжением)
• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2

Совместимые модели оборудования:

• Частотные преобразователи: Mitsubishi FR-A700, FR-F700, Delta VFD-EL
• Сварочные инверторы: Kemppi, Fronius TransPocket, ESAB
• Промышленные инверторы: Yaskawa, Omron

Парт-номера (Part Numbers):

• Mitsubishi: H3DE-G
• Производители корпусов: TO-247AD (стандартный корпус)

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.