H3DE-M1

H3DE-M1: Описание и технические характеристики

Описание:
H3DE-M1 – это высокочастотный транзистор, предназначенный для использования в усилительных и генераторных схемах СВЧ-диапазона. Применяется в профессиональном радиооборудовании, радиолокационных системах и телекоммуникационной аппаратуре. Обладает высокой стабильностью, низким уровнем шума и хорошей энергоэффективностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | Биполярный (NPN) |
| Максимальная мощность | 5 Вт |
| Рабочая частота | до 2.5 ГГц |
| Напряжение коллектора | 12 В |
| Ток коллектора | 500 мА |
| Коэффициент усиления | 10–15 дБ |
| Корпус | SOT-89 |
| Рабочая температура | -40°C ... +85°C |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные номера:

• H3DE-M1 (основная модель)
• H3DEM1 (альтернативное написание)

Совместимые аналоги:

• 2SC3356 (Rohm)
• BFG591 (NXP)
• MRF947 (Motorola)
• BFR93A (Infineon)

Совместимые модели оборудования:

• Усилители мощности СВЧ
• Радиопередатчики (2.4 ГГц)
• Радарные модули
• Оборудование беспроводной связи (Wi-Fi, LTE)

Примечание:
Перед заменой на аналог рекомендуется проверять соответствие параметров в конкретной схеме.

Если требуется более точная информация по конкретному применению – уточните модель устройства, где используется этот транзистор.