IXYS IXBF50N360

Описание и технические характеристики IXYS IXBF50N360

Описание:
IXYS IXBF50N360 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных системах управления и других устройствах, требующих высокой эффективности и надежности.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 3600 В | | Макс. ток стока (I_D) | 50 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0,16 Ом (при V_GS = 15 В) | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 830 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Емкость затвора (C_iss) | 8800 пФ (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 160 нс (тип.) | | Корпус | TO-268 (ISOPLUS i4-Pak) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS IXBF50N360A (модифицированная версия с улучшенными параметрами)
• IXYS IXFH50N30 (300 В, но может быть заменой в некоторых схемах)
• Microsemi APT50GF360J (альтернатива от Microsemi)
• Infineon IHW50N160R3 (1600 В, но схожий ток и R_DS(on))

Совместимые модели от других производителей:

• STMicroelectronics STW50N360
• Toshiba K3568 (аналог с близкими параметрами)
• Fuji Electric 2MBI100VA-120-50 (модуль IGBT, но может использоваться в схожих приложениях)

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные сварочные аппараты

Этот транзистор обладает высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в профессиональной электронике. Если требуется замена, важно учитывать не только параметры, но и условия работы схемы.