IXYS Ixgh48n60b3

IXYS IXGH48N60B3 - Описание и технические характеристики

Описание:

IXGH48N60B3 – это N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT) от компании IXYS (ныне Littelfuse), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот компонент обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его подходящим для:

• Инверторов и импульсных источников питания (SMPS)
• Управления электродвигателями
• Индукционного нагрева
• Сварочного оборудования
• Высоковольтных преобразователей

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 48 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 96 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 24 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,42 °C/Вт | | Рабочая температура | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный вариант) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXGH48N60B3D1 (модифицированная версия)
• IXGH48N60C3 (с улучшенными динамическими характеристиками)
• IXGH40N60B3 (40 А, 600 В) – частичная замена при меньших токах

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 50 А, 600 В)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 60 А, 650 В)
• HGTG20N60B3 (Microsemi, 20 А, 600 В) – для меньших токов

Примечания:

• Перед заменой на аналог следует учитывать различия в динамических характеристиках и корпусе.
• Рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы.

Если нужна дополнительная информация по применению или аналогам, уточните условия эксплуатации.