IXYS IXGX120N60B

Описание и технические характеристики IXYS IXGX120N60B

IXYS IXGX120N60B – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и током, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, драйверов двигателей и других высоковольтных приложений.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 120 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 480 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 28 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 36 мОм (при V_GS = 4,5 В)
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Мощность рассеивания (P_D): 830 Вт
• Тип корпуса: TO-264
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Заряд затвора (Q_g): 240 нКл
• Время включения (t_d(on)): 12 нс
• Время выключения (t_d(off)): 60 нс

Парт-номер и совместимые модели

Альтернативные парт-номера (прямые аналоги):

• IXYS IXGX120N60B3 (модификация с улучшенными параметрами)
• IXYS IXGX110N60B (аналог с током 110 А)
• IXYS IXGX140N60B (аналог с током 140 А)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IPW60R041C6 (600 В, 120 А, R_DS(on) = 41 мОм)
• STMicroelectronics STW75N60M2 (600 В, 75 А, R_DS(on) = 45 мОм)
• Fairchild FCH47N60 (600 В, 47 А, R_DS(on) = 62 мОм)

Если вам нужен MOSFET для высоковольтных схем с большими токами, IXGX120N60B – надежный выбор, но при необходимости замены можно рассмотреть аналогичные модели с близкими параметрами.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!