IXYS IXSN62N60U1

Описание

IXYS IXSN62N60U1 – это N-канальный MOSFET транзистор с ультранизким сопротивлением открытого канала (Ultra-Low RDS(on)), разработанный для высоковольтных и высокоэффективных силовых приложений. Применяется в импульсных источниках питания (SMPS), инверторах, плазменных дисплеях, промышленных контроллерах и других системах с высокой частотой переключения.

Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение сток-исток (600 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (62 мОм при 10 А, 25°C)
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Высокая устойчивость к лавинному пробою

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 600 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 62 A |
| Макс. ток стока (ID) при 100°C | 38 A |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 62 мОм (при VGS=10 В, ID=10 А) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 4 В |
| Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В |
| Мощность рассеяния (PD) | 300 Вт (при 25°C) |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IXYS IXSN62N60U2 (более новая версия с улучшенными характеристиками)
• Infineon IPP60R190C6 (600 В, 60 A, RDS(on) = 190 мОм)
• STMicroelectronics STW62N60M2 (600 В, 62 A, RDS(on) = 62 мОм)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH62N60 (600 В, 62 A, RDS(on) = 62 мОм)

Похожие модели (с другими параметрами):

• IXYS IXFN62N60 (в корпусе TO-264)
• IXYS IXTH62N60 (в корпусе TO-268)
• IXYS IXTN62N60 (в корпусе TO-220)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и частотные приводы
• Системы управления двигателями
• Промышленные и телекоммуникационные системы

Этот транзистор хорошо подходит для замены устаревших MOSFET с аналогичными характеристиками, но с более высоким КПД и меньшими тепловыми потерями.

Если нужны дополнительные аналоги или специфические условия замены, уточните параметры!