IXYS ixtk200n10p

IXYS IXTK200N10P

Описание:
IXTK200N10P — это N-канальный MOSFET-транзистор с высокой мощностью и низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), разработанный для применений, требующих высокой эффективности и надежности. Транзистор выполнен в корпусе TO-264, что обеспечивает хороший теплоотвод. Основные сферы применения: импульсные источники питания, инверторы, моторные драйверы и силовые преобразователи.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (VDS) | 100 В | | Макс. ток (ID) | 200 А (при 25°C) | | Сопротивление (RDS(on)) | 5 мОм (при VGS = 10 В, ID = 100 А) | | Рассеиваемая мощность | 600 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвора (VGS)| ±20 В | | Корпус | TO-264 (Isolated Tab) | | Темп. перехода (Tj) | -55°C до +175°C | | Заряд затвора (Qg) | ~150 нКл (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXYS IXTK210N10P (аналог с немного меньшим RDS(on))
• Infineon IPP200N10N3G
• Vishay SUP200N10-09
• STMicroelectronics STP200N10F7

Похожие модели с близкими параметрами:

• IXYS IXTH200N10T (TO-247 корпус)
• IXYS IXFN200N10P (TO-264, улучшенные динамические характеристики)

Примечания:

• Транзистор требует качественного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности.
• Рекомендуется использовать драйвер затвора с достаточным током для быстрого переключения.

Если вам нужны дополнительные аналоги или уточнения по применению — укажите конкретные требования!