IXYS IXTN200N10L2

Описание и технические характеристики IXYS IXTN200N10L2

IXTN200N10L2 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор в корпусе TO-264, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как импульсные источники питания, двигатели постоянного тока, инверторы и системы управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS = 100 В)
• Большой ток стока (I_D = 200 А) при 25°C
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on) = 4.5 мОм) при V_GS = 10 В
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора (Q_g = 170 нКл)
• Корпус TO-264 с хорошим теплоотводом

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) | 200 А (при 25°C), 140 А (при 100°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 4.5 мОм (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Заряд затвора (Q_g) | 170 нКл (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 600 Вт (при 25°C) | | Температурный диапазон | от -55°C до +175°C | | Корпус | TO-264 (ISOPLUS264) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от других производителей:

• Infineon IPP200N10N3 G (100 В, 200 А, R_DS(on) = 4.5 мОм, TO-264)
• Vishay SUP200N10-09 (100 В, 200 А, R_DS(on) = 4.5 мОм, TO-264)
• STMicroelectronics STP200N10F7 (100 В, 200 А, R_DS(on) = 5.5 мОм, TO-220) (менее мощный корпус)

Похожие модели от IXYS (Littelfuse):

• IXTN180N10T (100 В, 180 А, R_DS(on) = 5.5 мОм)
• IXTN250N10T (100 В, 250 А, R_DS(on) = 3.5 мОм)
• IXTN300N10T (100 В, 300 А, R_DS(on) = 2.5 мОм)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление двигателями (H-мосты, инверторы)
• Системы силовой электроники (DC-DC преобразователи)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!