IXYS IXTN210P10T

Описание и технические характеристики IXYS IXTN210P10T

IXTN210P10T – это мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-264, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, драйверы двигателей и другие силовые электронные системы.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Корпус: TO-264 (аналогичен TO-263, но с улучшенным теплоотводом)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 21 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,45 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXTN210P10 (более ранняя версия с аналогичными параметрами)
• IXTN20N100 (1000 В, 20 А, TO-264)
• IXTN20N100D1 (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• IRFP460 (International Rectifier, 500 В, 20 А, TO-247)
• STP20NM100FD (STMicroelectronics, 1000 В, 20 А, TO-220)
• FQP20N100 (Fairchild/ON Semi, 1000 В, 20 А, TO-220)

Замены в корпусе TO-264:

• IXTH20N100 (1000 В, 20 А, TO-264)
• APT10020JN (Microchip, 1000 В, 20 А, TO-264)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Драйверы двигателей
• Высоковольтные коммутационные схемы

Этот транзистор обладает высокой надежностью и эффективностью в силовых приложениях, а его корпус TO-264 обеспечивает хороший теплоотвод. Если требуется замена, важно учитывать рабочие токи и напряжение, а также параметры управления затвором.