IXYS IXTN79N20

Описание

IXYS IXTN79N20 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением сток-исток (200 В) и током стока до 79 А. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах. Отличается низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 200 В |
| Макс. ток стока (ID) | 79 А (при 25°C) |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.023 Ω (при VGS=10V) |
| Макс. мощность (Ptot) | 300 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В |
| Емкость затвора (Ciss) | ~3200 пФ |
| Время включения (tON) / выключения (tOFF) | нс (уточняется по даташиту) |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon IPA60R199CP (200 В, 72 А, RDS(on)=0.019 Ω)
• STMicroelectronics STW79N20 (200 В, 79 А, RDS(on)=0.023 Ω)
• Vishay IRFP250N (200 В, 30 А, RDS(on)=0.075 Ω) – менее мощный, но совместим в некоторых схемах

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS IXTN80N20 (200 В, 80 А, RDS(on)=0.022 Ω)
• IXYS IXFN88N30 (300 В, 88 А, RDS(on)=0.028 Ω) – для более высоких напряжений
• IXYS IXFN52N60 (600 В, 52 А, RDS(on)=0.06 Ω) – альтернатива для высоковольтных схем

Применение

• Силовые преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Моторные драйверы
• Инверторы и сварочное оборудование
• DC-DC преобразователи

Даташит и документация

Для точных параметров (времен переключения, графиков) рекомендуется обратиться к официальному даташиту IXYS IXTN79N20 (можно найти на сайтах Datasheet Archive, Mouser, DigiKey).

Если нужны аналоги с другими параметрами (например, меньшим RDS(on) или большим током), уточните – помогу подобрать замену.