IXYS IXTP15N50L2

Артикул: 376982
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXTP15N50L2
Описание и технические характеристики IXYS IXTP15N50L2
IXYS IXTP15N50L2 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, индукционных нагревателей и других силовых электронных устройств.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (VDSS): 500 В
- Максимальный ток стока (ID): 15 А
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)): 0.45 Ом (при VGS = 10 В)
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3–5 В
- Емкость затвора (Ciss): ~1300 пФ
- Тип корпуса: TO-247
- Температурный диапазон: -55°C до +150°C
Парт-номера (альтернативные обозначения)
- IXTP15N50L2 (основной номер)
- IXTH15N50L2 (аналог в корпусе TO-264)
- IXFH15N50 (близкий аналог, но с другими параметрами RDS(on))
Совместимые и аналогичные модели
- IRFP450 (International Rectifier) – 500 В, 14 А, RDS(on) = 0.4 Ом
- STP15NK50Z (STMicroelectronics) – 500 В, 15 А, RDS(on) = 0.45 Ом
- FQP15N50 (Fairchild/ON Semiconductor) – 500 В, 15 А, RDS(on) = 0.5 Ом
- 2SK2837 (Toshiba) – 500 В, 15 А, RDS(on) = 0.4 Ом
- IXTP12N50L2 (IXYS) – 500 В, 12 А, RDS(on) = 0.55 Ом (менее мощный аналог)
Применение
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- DC-DC преобразователи
- Индукционные нагреватели
- Управление двигателями
- Высоковольтные ключевые схемы
Если вам нужны более точные параметры или аналоги с улучшенными характеристиками, уточните область применения.