IXYS IXTQ50N20P

Описание и технические характеристики IXYS IXTQ50N20P

IXYS IXTQ50N20P – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (200 В)
• Большой ток стока (50 А) при 25°C
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on) = 40 мОм при VGS = 10 В)
• Быстрое переключение с низкими потерями
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение (V_DSS) | 200 В |
| Максимальный ток (I_D) | 50 А (при 25°C), 32 А (при 100°C) |
| Сопротивление канала (R_DS(on)) | 40 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Предельное напряжение затвора (V_GS) | ±20 В |
| Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температурный диапазон | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера IXTQ50N20P (альтернативные обозначения):

• IXTQ50N20 (упрощенное обозначение)
• IXTQ50N20P-ND (версия для Digi-Key)

Совместимые аналоги:

1. IRFP250N (International Rectifier) – 200 В, 30 А, 75 мОм
2. STP50N20 (STMicroelectronics) – 200 В, 50 А, 50 мОм
3. FDP51N20 (Fairchild/ON Semi) – 200 В, 51 А, 46 мОм
4. IXFH50N20P (IXYS) – близкий аналог с похожими параметрами

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Усилители класса D
• Системы управления батареями

Этот MOSFET подходит для замены в схемах, требующих высокого тока и напряжения с низкими потерями. Перед заменой рекомендуется проверять соответствие параметров в даташите.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!