IXYS IXXH50N60C3D1

IXYS IXXH50N60C3D1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и током, разработанный для мощных импульсных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания (SMPS) и двигательные системы.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Непрерывный ток стока (I_D): 50 А (при 25°C)
• Импульсный ток стока (I_DM): 200 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 0.055 Ом (при V_GS = 15 В)
  • 0.075 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение и ток для мощных приложений
• Низкое R_DS(on) для минимизации потерь проводимости
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги от IXYS:

• IXFH50N60P (схожие параметры, но другое семейство)
• IXFN50N60P3
• IXFR50N60P

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IPW60R060P7, IPP60R070P6
• STMicroelectronics: STW50N60DM2, STP50N60DM2
• Fairchild/ON Semi: FCH50N60
• IR (Infineon): IRFP460

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями (в том числе сервоприводами)
• Системы резервного питания (UPS)
• Индукционный нагрев

Если вам нужны более точные аналоги для замены, уточните конкретные требования по схеме.