IXYS Ixyh50n120c3

IXYS IXYH50N120C3 – Описание и технические характеристики

Описание

IXYS IXYH50N120C3 – это N-канальный IGBT-транзистор с кремниевой технологией, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Устройство обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошее тепловыделение, а встроенный быстрый диод улучшает надежность в схемах с индуктивной нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А (макс.) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А (макс.) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт (при 25°C) | | Время включения (t_on) | 55 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 320 нс (тип.) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 25 А) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (похожие параметры):

• IXYS IXYH40N120C3 (40 А, 1200 В)
• IXYS IXYH60N120C3 (60 А, 1200 В)
• Infineon IKW50N120T2 (50 А, 1200 В)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi) (50 А, 1200 В)
• IRG4PH50UD (International Rectifier) (50 А, 1200 В)

Совместимые модели (в схемах с аналогичными параметрами):

• IXGH50N120B3 (альтернативный вариант от IXYS)
• STGW50HF120HD (STMicroelectronics)
• APT50GR120J (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели

Если нужна замена, важно учитывать рабочие токи, напряжение и тепловые характеристики.