IXYS IXYN80N90C3H1

IXYS IXYN80N90C3H1 – Описание и технические характеристики

Описание:

IXYN80N90C3H1 – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением (900 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Разработан для высокоэффективных силовых приложений, таких как импульсные источники питания (SMPS), инверторы, двигатели и системы управления энергией.

Корпус TO-263 (D²Pak) обеспечивает хороший теплоотвод и подходит для монтажа на печатную плату.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 900 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 80 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_DM) | 300 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 90 мОм (при V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 375 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Время включения (t_d(on)) | 20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 70 нс | | Корпус | TO-263 (D²Pak) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS IXFN80N90P (аналогичный ток и напряжение, TO-247)
• Infineon IPW90R090C3 (900 В, 90 мОм, TO-247)
• STMicroelectronics STP80NF90 (900 В, 80 А, TO-220)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP90N90 (900 В, 90 мОм, TO-247)

Совместимые модели (с проверкой по схеме):

• IXYS IXYN60N100C3 (1000 В, 60 А, TO-263)
• IXYS IXTH80N90P (900 В, 80 А, TO-247)
• IRFP450 (500 В, 14 А, TO-247) – для менее мощных схем

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Системы резервного питания (UPS)

Примечание: При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также расположение выводов.