IXYS Ixyn82n120c3

Описание и технические характеристики IXYS IXYN82N120C3

IXYN82N120C3 – это N-канальный кремниевый MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Разработан для мощных импульсных преобразователей, инверторов, источников питания и других приложений, требующих высокой эффективности и надежности.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 82 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,12 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 830 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4,0 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 10 500 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение 1200 В для надежной работы в мощных схемах.
• Низкое R_DS(on) для минимизации потерь проводимости.
• Быстрое переключение, подходит для высокочастотных преобразователей.
• Защита от перегрева и перегрузки.

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Прямые аналоги от других производителей:

• Infineon – IPW90R120C3
• STMicroelectronics – STW88N120K5
• Toshiba – TK90A12W

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXYS IXFN82N120P (более мощный аналог)
• IXYS IXTH82N120P
• IXYS IXFH82N120P

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные источники питания

Если вам нужна более точная информация по заменам или специфическим применениям, уточните условия эксплуатации.