IXYS MCD31008IO1

Описание

IXYS MCD31008IO1 – это мощный полупроводниковый модуль, содержащий два N-канальных MOSFET транзистора в корпусе, оптимизированном для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и других силовых электронных системах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (2 шт. в модуле) |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 8 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~3.0 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 100–150 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Корпус | Изолированный (TO-247 или аналогичный) |
| Температура хранения и работы | -55°C до +150°C |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | ~30 нс / ~50 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от IXYS (Littelfuse):

• MCD31008IO2 (аналогичные параметры, возможны отличия в корпусе)
• MCD31010IO1 (1000 В, 10 А)
• IXFH8N100 (1000 В, 8 А, одиночный MOSFET)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IRFP460 (500 В, 20 А, но может использоваться в схожих схемах)
• STMicroelectronics STW8N100 (1000 В, 8 А)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQP8N100 (1000 В, 8 А)

Примечание

При замене модуля на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики,
• Тепловые параметры и тип корпуса,
• Параметры управляющего сигнала (V_GS, заряд затвора).

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики зависимости R_DS(on) от температуры), уточните запрос.