IXYS MDD200-08N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD200-08N1

IXYS MDD200-08N1 – это силовой модуль (IGBT + диод), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Электромобили и зарядные станции

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT модуль (NPT, Non-Punch Through) с антипараллельным диодом |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 300 А (пиковый) |
| Мощность (P_tot) | 625 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 210 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль с изолированной базой (Isolated Base Plate) |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS MDD200-16N1 (1600 В, 200 А)
• IXYS MDD175-08N1 (800 В, 175 А)
• IXYS MDD250-08N1 (800 В, 250 А)
• Semikron SKM200GB08D (800 В, 200 А)
• Infineon FF200R08KE3 (800 В, 200 А)
• Mitsubishi CM200DY-8H (800 В, 200 А)

Совместимые драйверы:

• IXYS IXD_609SI
• Infineon 1ED020I12-F2
• Silicon Labs Si8233

Примечания:

• Модуль требует эффективного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать снабберные цепи для снижения выбросов напряжения.
• При замене на аналог необходимо учитывать электрические и тепловые параметры.

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните запрос!