IXYS MDD25512N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD25512N1

MDD25512N1 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, инверторы и другие силовые электронные системы.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 25 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 100 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.45 Ом (при 10 В, 12.5 А) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 | | Температура перехода | от -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл (тип.) | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | 25 нс / 60 нс (тип.) |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Аналоги от других производителей:

• Infineon – IPW60R045CP
• STMicroelectronics – STW25NM120
• ON Semiconductor – NTHL020N120SC1
• Toshiba – TK25A12U

Парт-номера от IXYS/Littelfuse:

• IXYS – IXFH25N120
• IXYS – IXTH25N120

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Системы резервного питания (UPS)
• Высоковольтные DC-DC преобразователи

Этот транзистор обладает высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленных и силовых приложениях.

Если нужны дополнительные данные (графики, режимы работы), уточните!