IXYS MDD31012N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD31012N1

Описание:
MDD31012N1 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, DC-DC преобразователи и системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 310 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 1.2 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 600 Вт |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Температура хранения/работы | от -55°C до +175°C |
| Заряд затвора (Q_g) | ~220 нКл |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (зависит от схемы и условий работы):

• IXYS MDD3101N1 (близкий аналог, возможно небольшое отличие в характеристиках)
• Infineon IPP100N10S4 (100 В, 300 А, 1.4 мОм)
• STMicroelectronics STP300N10F7 (100 В, 300 А, 1.7 мОм)
• Vishay SUP30010E (100 В, 300 А, 1.3 мОм)

Похожие модели (с другими параметрами):

• IXYS IXFH310N10T (100 В, 310 А, 1.4 мОм)
• IXYS IXFN310N10T (100 В, 310 А, 1.2 мОм, корпус TO-264)

Примечание:

При замене на аналог важно учитывать не только ток и напряжение, но и R_DS(on), Q_g, тепловые характеристики и корпус.

Если вам нужна более точная совместимость для конкретного применения — уточните условия работы (частота переключения, температура и т. д.).