IXYS MDD31016N1

Описание

IXYS MDD31016N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT не является верным, правильнее MOSFET), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Индукционный нагрев
• Солнечные инверторы

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 31 A (непрерывный) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 93 A | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.16 Ом (при V_GS=15 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (типовое) | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при T_C=25°C) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C до +150°C | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | 60 нс / 50 нс (типовые) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS MDD31016N1 (оригинал)
• IXYS MDD31016N1G (версия с улучшенными характеристиками)

Совместимые/альтернативные модели:

• Infineon IPA60R099CP (600 В, 31 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW34NB100 (1000 В, 34 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH31N100 (1000 В, 31 А, TO-247)
• IRFP32N20K (200 В, 32 А, TO-247, для низковольтных аналогов)

Особенности

• Высокое напряжение 1000 В позволяет использовать в сетевых инверторах.
• Низкое R_DS(on) снижает потери на нагрев.
• Быстрое переключение подходит для ВЧ-приложений.

Рекомендуется проверять разводку платы при замене на аналоги, так как характеристики корпуса могут отличаться.

Если нужны уточнения по конкретному применению – укажите условия!