IXYS MDD312-22N1

IXYS MDD312-22N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он широко применяется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 22 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.75 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.0 – 5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги (по характеристикам и корпусу):

• IXYS MDD312-22N2 (близкий аналог с небольшими отличиями в параметрах)
• IXYS IXFH22N120
• Infineon IRFP460
• STMicroelectronics STW22NK100Z
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH22N120

Совместимые модели (с проверкой по распиновке и характеристикам):

• IXYS IXTH22N120
• IXYS MDS312-22N1
• IRFP460LC (International Rectifier)
• APT12022JN (Microsemi)

Особенности и применение:

• Высокое напряжение пробоя (1200 В) делает его пригодным для мощных инверторов и импульсных источников питания.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) обеспечивает высокий КПД.
• Корпус TO-247 улучшает теплоотвод, что важно для мощных приложений.

Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры (особенно динамические характеристики) могут отличаться.