IXYS MDD410-28N3

Описание

IXYS MDD410-28N3 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• DC-DC преобразователей
• Индукционных нагревателей
• Управления двигателями
• Систем ВЧ-усиления

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение V_DSS | 1000 В | | Макс. ток I_D (при 25°C) | 4.0 А | | Макс. ток импульса (I_DM) | 16 А | | Сопротивление R_DS(on) (при V_GS = 15 В) | 3.5 Ом | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 4.0 В | | Макс. мощность (P_D) | 50 Вт | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 0.6 мкКл | | Время включения (t_d(on)) | 20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 65 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXYS MDD410-28N4 (аналог с улучшенными параметрами)
• STMicroelectronics STP4NB100 (1000 В, 4 А, TO-220)
• Infineon IPP60R199CP (600 В, 11 А, но схожий корпус и применение)
• Fairchild (ON Semi) FQP4N100 (1000 В, 4 А, TO-220)

Совместимые модели (с проверкой распиновки!):

• IRF840 (500 В, 8 А, но в некоторых схемах может заменяться)
• IXFH4N100 (1000 В, 4 А, TO-247)
• IXTA4N100 (1000 В, 4 А, TO-220)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и тепловые характеристики.
• В высокочастотных схемах важны параметры Q_rr и C_iss.
• Для TO-252 (DPAK) учитывайте теплоотвод, так как корпус имеет ограниченную рассеивающую способность.

Если вам нужны аналоги в другом корпусе (например, TO-220 или TO-247), уточните параметры замены.