IXYS MDD4412N1B

IXYS MDD4412N1B – это N-канальный MOSFET транзистор с двойным затвором, предназначенный для высокочастотных и импульсных применений, таких как DC-DC преобразователи, импульсные источники питания и управление двигателями.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET (Dual Gate)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 40 В
• Максимальный ток стока (I_D): 50 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 4.5 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 6.0 мОм (при V_GS = 4.5 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Корпус: TO-263 (D²PAK)
• Диапазон рабочих температур: -55°C до +175°C

Ключевые особенности:

✔ Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on))
✔ Высокая переключательная способность
✔ Двойной затвор для улучшенного управления
✔ Высокая температурная стабильность

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (в зависимости от параметров):

• Infineon IPP50N04S4-23 (40V, 50A, 4.5 мОм)
• Vishay SUP50N04-09 (40V, 50A, 9 мОм)
• ON Semiconductor NTD50N04 (40V, 50A, 6 мОм)
• STMicroelectronics STP50N04 (40V, 50A, 8 мОм)

Близкие по характеристикам (неполные аналоги):

• IRF3205 (55V, 110A, 8 мОм) – для более высоких токов
• IRL40B209 (40V, 80A, 2.5 мОм) – более низкое R_DS(on)

Применение:

• Импульсные блоки питания (DC-DC преобразователи)
• Управление двигателями (H-мосты, драйверы)
• Системы управления батареями
• Высокочастотные инверторы

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверить документацию и сравнение параметров в даташите.