IXYS MMO9012IO6

IXYS MMO9012IO6 – это мощный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, системы управления двигателями и другие силовые электронные устройства.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 900 В
• Максимальный ток стока (I_D): 12 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 1.2 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги и совместимые модели могут включать:

• IXFH12N90 (900 В, 12 А)
• IRFP450 (500 В, 14 А, возможна замена в некоторых схемах с меньшим напряжением)
• STP12NM50 (500 В, 12 А)
• FQP12N90 (900 В, 12 А, от Fairchild/ON Semiconductor)
• IXFN12N90 (900 В, 12 А, в другом корпусе)

Применение и совместимость:

Компонент подходит для замены в схемах, где требуются высоковольтные MOSFET с аналогичными параметрами. Однако перед заменой необходимо проверить:

• Соответствие V_DSS и I_D
• Рабочую частоту и динамические характеристики
• Тепловой режим (возможность отвода тепла в корпусе TO-247)

Если вам нужны более точные аналоги или схемы применения, уточните конкретные условия работы (например, частота переключения, нагрузка).