IXYS MUBW2512A7

Описание и технические характеристики IXYS MUBW2512A7

Описание:
IXYS MUBW2512A7 – это мощный MOSFET-транзистор с двойным диодом в корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для высокоэффективных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и других силовых приложений.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 250 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 12 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.75 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 10 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 35 нс |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |
| Рабочая температура | -55 °C до +150 °C |

Встроенные диоды:

• Быстрый восстановительный диод (FRD) для снижения потерь при переключении.

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от IXYS/Littelfuse:
  • MUBW2512A6 (аналог с близкими параметрами)
  • IXFH12N50P3 (альтернативный MOSFET, 500 В, 12 А)
• Аналоги от других производителей:
  • IRFB12N50A (International Rectifier)
  • STP12NK50Z (STMicroelectronics)
  • FDP12N50NZ (Fairchild/ON Semiconductor)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и драйверы

Примечание:
При замене на аналог рекомендуется проверять соответствие параметров, особенно R_DS(on) и V_GS(th).