IXYS MUBW3512A7

IXYS MUBW3512A7 — это мощный MOSFET-транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей, DC-DC преобразователей, драйверов двигателей и других приложений, требующих высокой коммутационной способности и низкого сопротивления в открытом состоянии.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 100 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 75 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 300 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 12 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 200 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C
• Корпус: TO-263-7L (D²PAK)
• Защитный диод: Есть (интегрированный обратный диод)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• Infineon IPP075N10N3 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 7.5 мОм)
• Vishay SUP75N10-18 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 18 мОм)
• STMicroelectronics STP75NF10 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 9.5 мОм)
• IRF (Infineon) IRFB4310Z (100 В, 75 А, R_DS(on) = 10 мОм)

Совместимые модели (с допустимой заменой):

• IXYS IXFH75N10P (100 В, 75 А)
• Fairchild FDP75N10 (100 В, 75 А)
• ON Semiconductor NTMFS75N10 (100 В, 75 А)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Драйверы двигателей (H-мосты)
• Инверторы
• Управление нагрузкой в промышленной электронике

Примечание: При замене на другой аналог следует учитывать различия в R_DS(on), емкостях затвора и тепловых характеристиках.