IXYS N0465WN160

Описание и технические характеристики IXYS N0465WN160

IXYS N0465WN160 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и силовых приложений. Обладает высокой эффективностью, низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Максимальное напряжение сток-исток (VDS) | 1600 В |
| Максимальный ток стока (ID при 25°C) | 46 А |
| Максимальный импульсный ток (IDM) | 184 А |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.65 Ом (при VGS = 15 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 4.0 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 440 Вт |
| Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Qg) | 220 нКл |
| Время включения/выключения (tr/tf) | 35 нс / 60 нс |

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные коммутационные устройства

Альтернативные и совместимые модели:

Парт-номера (аналоги):

• IXYS N0465WN150 (1500 В, 46 А)
• IXYS N0465WN120 (1200 В, 46 А)
• IXYS IXFN46N160 (1600 В, 46 А)
• Infineon IPW60R045CP (600 В, но схожий ток и RDS(on))
• STMicroelectronics STW46N60M2 (600 В, но альтернатива в схожих приложениях)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS IXFN52N120 (1200 В, 52 А)
• Microsemi APT50GR120J (1200 В, 50 А)
• Toshiba TK46J60W (600 В, 46 А)

Если требуется замена, важно учитывать напряжение, ток и параметры RDS(on). Для точной совместимости рекомендуется проверять даташиты.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!