IXYS N1449QL200

IXYS N1449QL200 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленном оборудовании и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Структура: Super Junction (суперпереход)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 200 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 144 А
• Импульсный ток стока (I_DM): 576 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 1.9 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 2.4 мОм (при V_GS = 4.5 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 520 Вт
• Тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_θJC): 0.24 °C/Вт
• Корпус: TO-247
• Диод сток-исток: Встроенный (body diode)
• Время включения (t_d(on)): 9 нс
• Время выключения (t_d(off)): 50 нс

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IXYS IXFN144N20P (200 В, 144 А, R_DS(on) = 1.9 мОм)
• Infineon IPP144N20N3 (200 В, 144 А, R_DS(on) = 1.9 мОм)
• STMicroelectronics STH144N200 (200 В, 144 А, R_DS(on) = 1.9 мОм)
• Vishay SiHF144N20E-GE3 (200 В, 144 А, R_DS(on) = 1.9 мОм)

Совместимые модели (с другими параметрами, но подходящие в некоторых схемах):

• IXYS IXFN120N20P (200 В, 120 А, R_DS(on) = 2.1 мОм)
• Infineon IPP110N20N3 (200 В, 110 А, R_DS(on) = 2.3 мОм)
• STMicroelectronics STH120N200 (200 В, 120 А, R_DS(on) = 2.1 мОм)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Тяговые инверторы
• Управление двигателями
• Промышленные преобразователи
• Высоковольтные системы

Этот транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой энергоэффективностью, что делает его подходящим для мощных приложений. При замене аналогами важно учитывать R_DS(on) и тепловые параметры.