IXYS N1479NC300

Описание и технические характеристики IXYS N1479NC300

IXYS N1479NC300 – это N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобный), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для импульсных источников питания, инверторов, драйверов двигателей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В | | Макс. ток стока (I_D) | 147 A (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 9 мОм (при V_GS = 10 В) | | Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Температура перехода (T_J) | от -55°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (изолированный) | | Заряд затвора (Q_g) | ~150 нКл | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 50 нс |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие параметры):

• Infineon IPA60R190P7XKSA1 (600 В, 48 A, R_DS(on) = 190 мОм)
• STMicroelectronics STW48NB50 (500 В, 48 A, R_DS(on) = 85 мОм)
• Vishay IRFP4568PBF (250 В, 140 A, R_DS(on) = 6 мОм)
• IR (International Rectifier) IRFP260N (200 В, 50 A, R_DS(on) = 40 мОм)

Частичные замены (подходят для менее требовательных схем):

• IXYS IXFN140N30P (300 В, 140 A, R_DS(on) = 8 мОм)
• Fairchild FDPF33N25 (250 В, 33 A, R_DS(on) = 85 мОм)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Драйверы двигателей
• Высоковольтные ключевые схемы

Если вам нужна точная замена, важно учитывать условия работы (напряжение, ток, частота переключения). Для критичных применений рекомендуется проверять datasheet перед заменой.