IXYS N1718NS200

IXYS N1718NS200 – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для мощных импульсных приложений.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1700 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 18 А
• Импульсный ток (I_DM): 72 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.2 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 500 Вт
• Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный, в зависимости от модификации)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные системы

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги:

• IXYS N1718NS200 (оригинал)
• IXYS N1718NS200-ND (версия для дистрибьюторов)
• IXYS N1718NS200G (с улучшенными характеристиками)

Совместимые/похожие модели:

• IXYS N1718NS250 (1700 В, 18 А, R_DS(on) = 0.25 Ом)
• IXYS N1718NS150 (1700 В, 18 А, R_DS(on) = 0.15 Ом)
• STMicroelectronics STW18NK90Z (900 В, 18 А, альтернатива для менее высоковольтных схем)
• Infineon IPA60R190P7 (600 В, 20 А, аналог для низковольтных приложений)

Примечание:

При замене на аналог важно учитывать не только вольтаж и ток, но и динамические характеристики (емкость затвора, скорость переключения). В высокочастотных схемах некорректный подбор может привести к перегреву и выходу из строя.

Если нужны дополнительные данные по спецификациям или применение в конкретной схеме – уточните!