IXYS TO-252

IXYS TO-252 (D-PAK) – Описание и технические характеристики

Описание:
TO-252 (D-PAK) – популярный корпус для силовых MOSFET и диодов, обеспечивающий хороший теплоотвод через контактную площадку (тепловой фланец). Компания IXYS (ныне часть Littelfuse) выпускает в этом корпусе высоковольтные MOSFET, IGBT, диоды и тиристоры, предназначенные для импульсных источников питания, моторных приводов и других силовых приложений.

Технические характеристики (общие для серий в TO-252):

• Тип компонентов: MOSFET, диоды (включая быстрые и ультрабыстрые), IGBT.
• Напряжение (V): от 30 В до 1000 В (зависит от модели).
• Ток (I): от 1 А до 50 А (пиковый до 100 А для некоторых MOSFET).
• Рассеиваемая мощность (Pd): до 50–100 Вт (с heatsink).
• Тепловое сопротивление (RθJC): ~1–5 °C/Вт.
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C (или +175°C для некоторых моделей).

Популярные парт-номера IXYS в TO-252:

1. MOSFET:
   • IXFH50N10P – 100 В, 50 А, N-канальный.
   • IXTH20N50D – 500 В, 20 А, N-канальный.
   • IXTA36N10P – 100 В, 36 А, N-канальный.
2. Диоды:
   • IXYS DSA30C150PB – 150 В, 30 А (диод Шоттки).
   • IXYS DSS16-01A – 100 В, 16 А (быстрый диод).

Совместимые модели (аналоги от других производителей):

1. MOSFET:
   • Infineon/IPD: IPD50R1K0P (аналог IXFH50N10P).
   • Vishay: SUP50020E-GE3 (500 В, 20 А).
   • STMicroelectronics: STP20NM50FD (500 В, 20 А).
2. Диоды:
   • Vishay: VS-30CPH150PBF (аналог DSA30C150PB).
   • ON Semiconductor: MBRF20100CT (100 В, 20 А).

Примечания:

• Для точного подбора аналога проверяйте даташиты по параметрам (Vds, Id, Rds(on), Qg и др.).
• Корпус TO-252 совместим с монтажом D-PAK (но могут быть отличия в расположении выводов).

Если нужны параметры конкретной модели – уточните, и я предоставлю детали!