IXYS VUO11010NO7

IXYS VUO11010NO7 — это высоковольтный MOSFET-транзистор с N-каналом, разработанный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других устройствах, требующих высокой надежности и эффективности.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный постоянный ток стока (I_D): 11 А
• Импульсный ток стока (I_DM): 44 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.85 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Емкость входная (C_iss): 520 пФ
• Емкость выходная (C_oss): 85 пФ
• Емкость обратной передачи (C_rss): 15 пФ
• Корпус: TO-247
• Рабочая температура: от -55°C до +150°C

Аналоги и парт-номера:

• IXYS VUO11010N07 (альтернативное написание)
• IXFH11N100 (аналог от IXYS)
• IRFP460 (аналог от International Rectifier, с близкими параметрами)
• STP11NK100Z (аналог от STMicroelectronics)
• FQP11N100 (аналог от ON Semiconductor)

Совместимые модели и заменители:

• IXFH11N100
• IXFH10N100 (с меньшим током)
• IRFP460 (менее мощный, но с близкими характеристиками)
• STW11NK100Z (от STMicroelectronics)
• APT100R10J (Advanced Power Technology)

Данный транзистор обладает высокой устойчивостью к перегрузкам и эффективно работает в схемах с высоким напряжением, что делает его популярным в промышленной и силовой электронике.

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.