IXYS VUO110-14NO7

Описание

IXYS VUO110-14NO7 – это мощный IGBT-модуль с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных импульсных приложений. Модуль выполнен в корпусе, оптимизированном для эффективного теплоотвода, и подходит для использования в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Промышленных приводах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод |
| Конфигурация | Одиночный модуль (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1400 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 110 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 220 А |
| Мощность потерь (P_tot) | 390 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 120 нс |
| Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, ISOCOM) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги от IXYS (Infineon):

• VUO110-14NO7 (оригинальный номер)
• IXGN110N14C3 (близкий по параметрам)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF1400R12IP4 (другая конфигурация, но схожие характеристики)
• Fuji Electric: 2MBI1400VXB-110-50
• Mitsubishi: CM1400HC-66H

Примечания

• При замене на аналог важно учитывать распиновку, тепловые параметры и напряжение.
• Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимости тока от температуры), уточните!