IXYS VUO3418NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO3418NO1

Описание:
IXYS VUO3418NO1 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-модуль), предназначенный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 400 В |
| Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 34 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 136 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,018 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Тип корпуса | TO-268 (изолированный) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги:

• IXYS VUO3418N (близкий аналог, возможно, с небольшими отличиями)
• IXFH34N40P (Infineon, аналогичные параметры)
• IRFP4468PbF (International Rectifier, схожие характеристики)
• STW34NB40 (STMicroelectronics, совместимый аналог)

Совместимые модели:

• IRFP450 (менее мощный, но подходит для некоторых применений)
• FDPF33N40 (Fairchild Semiconductor)
• IXFN34N60 (IXYS, более высокое напряжение)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями

Если требуется конкретный аналог для замены, лучше уточнить рабочие параметры схемы.