IXYS VUO8212NO7

Описание и технические характеристики IXYS VUO8212NO7

IXYS VUO8212NO7 – это мощный MOSFET-транзистор N-канального типа в корпусе TO-220, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели
• Силовые инверторы

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Корпус | TO-220 (изолированный вариант) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.82 Ом (при V_GS=10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 125 Вт (при 25°C) | | Температурный диапазон | от -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS VUO8212NO7 (оригинальный номер)
• IXFH12N120 (аналог от IXYS)
• IRFPG50 (International Rectifier, 1000V, 5.6A)
• STW12N120 (STMicroelectronics, 1200V, 12A)

Частично совместимые модели (требуется проверка по схеме):

• FQP12N120 (Fairchild, 1200V, 12A)
• IXTH12N120 (IXYS, TO-247 корпус)
• APT12M120J (Microsemi, 1200V, 12A)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_DSS, I_D и R_DS(on).

Нужна дополнительная информация по применению или схемам?