IXYS VUO82-18NO7

IXYS VUO82-18NO7 – это мощный IGBT-транзистор с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, промышленные приводы и системы управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT с обратным диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 82 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 164 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 82 А) | | Время включения (t_on) | н/д | | Время выключения (t_off) | н/д | | Корпус | TO-264 (или аналогичный) | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IXYS VUO82-18NO7 (оригинал)
• IXGN82N170 (возможный аналог от IXYS)

Совместимые модели (похожие параметры):

• Infineon IHW50N170R5 (1700 В, 50 А)
• STMicroelectronics STGW80H65DFB (650 В, 80 А, с диодом)
• Fuji Electric 2MBI200XNE-170-50 (1700 В, 200 А, модуль)

Применение

• Высоковольтные инверторы
• Промышленные источники питания
• Электроприводы и УПП (устройства плавного пуска)
• Сварочное оборудование

Если у вас есть дополнительные требования (например, модульные аналоги или корпусные замены), уточните – подберу варианты.